BFS520微波低噪声晶体管
主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和CATV 高频宽带低噪声放大器中，如电视
调谐器、卫星电视接收器、CATV 视频放大器、模拟数字无绳电话、雷达感应开关、
光纤射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品；
简述：
本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、
小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；
集电极-基极击穿电压：BVCEO=15V，集电极电流：IC=70mA,耗散功率：
PC=300mW，特征频率：fT=9GHz;
封装形式：SOT323,本体印字(Marking)： N2 或者N2t。
极限参数（Tamb=25℃）：
参数名称符号额定值单位
集电极-基极击穿电压BVCBO 20 V
集电极-发射极击穿电压BVCEO 15 V
发射极-基极击穿电压BVEBO 2.5 V
集电极电流IC 70 mA
耗散功率PT 300 mW
最高结温TJ 150 ℃
储存温度Tstg -65～+150 ℃
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