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NCE4606
描述:NCE4606采用先进的沟槽技术来提供极好的RDS(ON)和低栅电荷。补充MOSFET可用于形成水平位移高侧切换，并用于许多其他应用程序。
SOP-8 N+P通道增强模式功率MOSFET

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