主要特性
高增益:︱S21e︱2 典型值为12dB @ VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz
低噪声: NF 典型值为1.3dB @ VCE=10V，IC=7mA， f=1GHz
增益带宽乘积: fT 典型值为7GHz @ VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz
极限工作条件范围(TA=25℃)
参数符号极值单位
集电极基极击穿电压VCBO 25 V
集电极发射极击穿电压VCEO 15 V
发射极基极击穿电压VEBO 3 V
集电极电流IC 100 mA
功耗PC 200 mW
结温度Tj 150 ºC
存储温度Tstg -65 ~ +150 ºC
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