NPN超高频低噪声晶体管BLT1404主要应用：

无线遥控开关、雷达感应灯、门铃、车辆防盗器等

描述：
超高频低噪声晶体管，采用平面NPN 硅外延双极型工艺，具有高功率增益、低噪声特性和大动态范围。由于采用了超小型的SOT-323 封
装，特别适用于高密度表面贴片安装，主要用于VHF，UHF 高频低噪声宽带放大器。
主要特性
高增益:︱S21e︱2 典型值为13.5dB @ VCE=5V，IC=20mA，f=0.9GHz
低噪声: NF 典型值为1.6dB @ VCE=5V，IC=5mA， f=0.9GHz
增益带宽乘积: fT 典型值为9GHz @ VCE=5V，IC=20mA，f=0.9GHz
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NPN 高频低噪声晶体管
描述
超高频低噪声晶体管，采用平面NPN 硅外延
双极型工艺，具有高功率增益、低噪声特性和大动态范围。由于采用了超小型的SOT-323 封
装，特别适用于高密度表面贴片安装，主要用于VHF，UHF 高频低噪声宽带放大器。
主要特性
高增益:︱S21e︱2 典型值为13.5dB @ VCE=5V，IC=20mA，f=0.9GHz
低噪声: NF 典型值为1.6dB @ VCE=5V，IC=5mA， f=0.9GHz
增益带宽乘积: fT 典型值为9GHz @ VCE=5V，IC=20mA，f=0.9GHz
订购信息
极限工作条件范围(TA=25℃)
参数符号极值单位
集电极基极击穿电压VCBO 15 V
集电极发射极击穿电压VCEO 9 V
发射极基极击穿电压VEBO 1.5 V
集电极电流IC 50 mA
功耗PC 100 mW
结温度Tj 150 ℃
存储温度Tstg -65 ~ +150 ℃